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1N5616US
1N5616US
제품 모델:
1N5616US
제조사:
Microsemi
기술:
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 수량:
19310 Pieces
데이터 시트:
1N5616US.pdf
문의

소개

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규격

전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우:1.3V @ 3A
전압 - 역방향 (Vr) (최대):400V
제조업체 장치 패키지:D-5A
속도:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
연속:-
역 회복 시간 (trr):2µs
포장:Bulk
패키지 / 케이스:SQ-MELF, A
작동 온도 - 정션:-65°C ~ 200°C
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:7 Weeks
제조업체 부품 번호:1N5616US
확장 설명:Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A
다이오드 유형:Standard
기술:DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
전류 - 누설 Vr에서 역방향:500nA @ 400V
전류 - 평균 정류 (Io):1A
VR, F @ 용량:-
Email:[email protected]

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NRVBS360T3G Image NRVBS360T3G ON Semiconductor DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC 문의
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S2M-LTP Image S2M-LTP Micro Commercial Co DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA 문의
GP2D005A120A Image GP2D005A120A Global Power Technologies Group DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2 문의
SF5403-TR Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE AVAL 3A 300V SOD-64 문의
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