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2SD1805G-E
2SD1805G-E
제품 모델:
2SD1805G-E
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
TRANS NPN 20V 5A TP
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
14336 Pieces
데이터 시트:
2SD1805G-E.pdf
문의

소개

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규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):20V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):500mV @ 60mA, 3A
트랜지스터 유형:NPN
제조업체 장치 패키지:TP
연속:-
전력 - 최대:1W
포장:Bulk
패키지 / 케이스:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:2 Weeks
제조업체 부품 번호:2SD1805G-E
주파수 - 전환:120MHz
확장 설명:Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 5A 120MHz 1W Through Hole TP
기술:TRANS NPN 20V 5A TP
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:280 @ 500mA, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):5A
Email:[email protected]

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