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ALD212902PAL
- 제품 모델:
- ALD212902PAL
- 기술:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 16120 Pieces
- 데이터 시트:
- ALD212902PAL.pdf
소개
BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. ALD212902PAL, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. ALD212902PAL을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
규격
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 20mV @ 10µA |
|---|---|
| 제조업체 장치 패키지: | 8-PDIP |
| 연속: | EPAD®, Zero Threshold™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | - |
| 전력 - 최대: | 500mW |
| 포장: | Tube |
| 패키지 / 케이스: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 실장 형: | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 10 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | ALD212902PAL |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | - |
| FET 유형: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET 특징: | Logic Level Gate |
| 확장 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 10.6V |
| 기술: | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
ALD212902PAL에 대한 관련 부품
| 영상 | 제품 모델 | 제조업체 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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ALD212900PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | 문의 |
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