사다 BYCHPS가있는 BUZ30AH3045AATMA1
보장 구매
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 1mA |
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과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | PG-TO263-3 |
연속: | SIPMOS® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 130 mOhm @ 13.5A, 10V |
전력 소비 (최대): | 125W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
다른 이름들: | BUZ30A H3045A BUZ30A L3045A BUZ30A L3045A-ND BUZ30AH3045AINTR BUZ30AH3045AINTR-ND BUZ30AL3045AINTR BUZ30AL3045AINTR-ND BUZ30AL3045AXT SP000102176 SP000736082 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 14 Weeks |
제조업체 부품 번호: | BUZ30AH3045AATMA1 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1900pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | - |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
확장 설명: | N-Channel 200V 21A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 200V |
기술: | MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 21A (Tc) |
Email: | [email protected] |