사다 BYCHPS가있는 DRA3115G0L
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DRA3115G0L
- 제품 모델:
- DRA3115G0L
- 제조사:
- Panasonic
- 기술:
- TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 19854 Pieces
- 데이터 시트:
- DRA3115G0L.pdf
소개
BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. DRA3115G0L, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. DRA3115G0L을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
규격
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 50V |
|---|---|
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 250mV @ 500µA, 10mA |
| 트랜지스터 유형: | PNP - Pre-Biased |
| 제조업체 장치 패키지: | SSSMini3-F2-B |
| 연속: | - |
| 저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴): | 100k |
| 저항기 -베이스 (R1) (옴): | - |
| 전력 - 최대: | 100mW |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-723 |
| 다른 이름들: | DRA3115G0L-ND DRA3115G0LTR |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 10 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | DRA3115G0L |
| 주파수 - 전환: | - |
| 확장 설명: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 100mW Surface Mount SSSMini3-F2-B |
| 기술: | TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 80 @ 5mA, 10V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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