사다 BYCHPS가있는 DRA3143X0L
보장 구매
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 50V |
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IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 250mV @ 500µA, 10mA |
트랜지스터 유형: | PNP - Pre-Biased |
제조업체 장치 패키지: | SSSMini3-F2-B |
연속: | - |
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴): | 10k |
저항기 -베이스 (R1) (옴): | 4.7k |
전력 - 최대: | 200mW |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | SOT-723 |
다른 이름들: | DRA3143X0L-ND DRA3143X0LTR |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 11 Weeks |
제조업체 부품 번호: | DRA3143X0L |
주파수 - 전환: | - |
확장 설명: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SSSMini3-F2-B |
기술: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SSSMINI3 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 30 @ 5mA, 10V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 500nA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 100mA |
Email: | sales@bychips.com |