FDB024N06
FDB024N06
제품 모델:
FDB024N06
제조사:
Fairchild/ON Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
18978 Pieces
데이터 시트:
FDB024N06.pdf

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):4.5V @ 250µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:D²PAK (TO-263AB)
연속:PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):2.4 mOhm @ 75A, 10V
전력 소비 (최대):395W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들:FDB024N06TR
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:12 Weeks
제조업체 부품 번호:FDB024N06
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:14885pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:226nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 60V 120A (Tc) 395W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):60V
기술:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):120A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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