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IXFN160N30T
IXFN160N30T
제품 모델:
IXFN160N30T
제조사:
IXYS Corporation
기술:
MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
13817 Pieces
데이터 시트:
IXFN160N30T.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):5V @ 8mA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:SOT-227B
연속:GigaMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):19 mOhm @ 60A, 10V
전력 소비 (최대):900W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:SOT-227-4, miniBLOC
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Chassis Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:8 Weeks
제조업체 부품 번호:IXFN160N30T
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:28000pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:335nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 300V 130A 900W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):300V
기술:MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):130A
Email:[email protected]

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