IXXH80N65B4H1 - IXYS - 트랜지스터-이그bts-단일 IXXH80N65B4H1

IXXH80N65B4H1

제품 모델:: IXXH80N65B4H1

제조사:: IXYS Corporation

기술:: IGBT 650V 160A 625W TO247AD

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 12504 Pieces

데이터 시트:: IXXH80N65B4H1.pdf

문의

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	650V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):	2V @ 15V, 80A
시험 조건:	400V, 80A, 3 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:	38ns/120ns
에너지 전환:	3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
제조업체 장치 패키지:	TO-247 (IXXH)
연속:	GenX4™, XPT™
역 회복 시간 (trr):	150ns
전력 - 최대:	625W
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	TO-247-3
다른 이름들:	629411
작동 온도:	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:	Through Hole
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	18 Weeks
제조업체 부품 번호:	IXXH80N65B4H1
입력 유형:	Standard
IGBT 유형:	PT
게이트 충전:	120nC
확장 설명:	IGBT PT 650V 160A 625W Through Hole TO-247 (IXXH)
기술:	IGBT 650V 160A 625W TO247AD
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):	430A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	160A
Email:	[email protected]

IXXH80N65B4H1에 대한 관련 부품

제품 모델	제조업체	기술	전망
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STGW19NC60WD	STMicroelectronics	IGBT 600V 42A 125W TO247	문의
IKP20N60H3	Infineon Technologies	IGBT 600V 40A 170W TO220-3	문의
IXGH28N60B	IXYS	IGBT 600V 40A 150W TO247AD	문의
IRG4RC10SDTRPBF	Infineon Technologies	IGBT 600V 14A 38W DPAK	문의
IXXH80N65B4	IXYS	IGBT 650V 160A 625W TO247AD	문의
APT50GN120B2G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 134A 543W TO-247	문의
IRGB4640DPBF	Infineon Technologies	DIODE 600V 40A TO-220	문의
IHW30N65R5XKSA1	Infineon Technologies	IGBT 650V TO247-3	문의
IRGR2B60KDPBF	Infineon Technologies	IGBT 600V 6.3A 35W DPAK	문의
IRG4PC30SPBF	Infineon Technologies	IGBT 600V 34A 100W TO247AC	문의
FGD3N60LSDTM	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 6A 40W DPAK	문의
IXGK50N90B2D1	IXYS	IGBT 900V 75A 400W TO264	문의

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