NDD60N900U1-35G - ON Semiconductor - 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 NDD60N900U1-35G

NDD60N900U1-35G

제품 모델:: NDD60N900U1-35G

제조사:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

기술:: MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 13259 Pieces

데이터 시트:: NDD60N900U1-35G.pdf

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소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):	4V @ 250µA
과학 기술:	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:	I-Pak
연속:	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	900 mOhm @ 2.5A, 10V
전력 소비 (최대):	74W (Tc)
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Through Hole
수분 민감도 (MSL):	3 (168 Hours)
제조업체 표준 리드 타임:	4 Weeks
제조업체 부품 번호:	NDD60N900U1-35G
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	360pF @ 50V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	12nC @ 10V
FET 유형:	N-Channel
FET 특징:	-
확장 설명:	N-Channel 600V 5.7A (Tc) 74W (Tc) Through Hole I-Pak
소스 전압에 드레인 (Vdss):	600V
기술:	MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	5.7A (Tc)
Email:	[email protected]

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