NE68133-T1B-A - CEL - 트랜지스터-양극 (bjt)-rf NE68133-T1B-A

NE68133-T1B-A

제품 모델:: NE68133-T1B-A

제조사:: CEL (California Eastern Laboratories)

기술:: RF TRANSISTOR NPN SOT-23

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 12042 Pieces

데이터 시트:: 1.NE68133-T1B-A.pdf 2.NE68133-T1B-A.pdf 3.NE68133-T1B-A.pdf

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규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	10V
트랜지스터 유형:	NPN
제조업체 장치 패키지:	SOT-23
연속:	-
전력 - 최대:	200mW
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들:	NE68133-T1B-A-ND NE68133-T1B-ATR NE68133T1BA
작동 온도:	150°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ):	1.2dB @ 1GHz
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	NE68133-T1B-A
이득:	13dB
주파수 - 전환:	9GHz
확장 설명:	RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-23
기술:	RF TRANSISTOR NPN SOT-23
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	50 @ 20mA, 8V
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	65mA
Email:	[email protected]

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