사다 BYCHPS가있는 NTD4813N-1G
보장 구매
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.5V @ 250µA |
---|---|
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | I-Pak |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 13 mOhm @ 30A, 10V |
전력 소비 (최대): | 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호: | NTD4813N-1G |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 860pF @ 12V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 7.9nC @ 4.5V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
확장 설명: | N-Channel 30V 7.6A (Ta), 40A (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) Through Hole I-Pak |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
기술: | MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 7.6A (Ta), 40A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |