NTJD4105CT2G - ON Semiconductor - 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 NTJD4105CT2G

NTJD4105CT2G

제품 모델:: NTJD4105CT2G

제조사:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

기술:: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 14500 Pieces

데이터 시트:: NTJD4105CT2G.pdf

문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):	1.5V @ 250µA
제조업체 장치 패키지:	SC-88/SC70-6/SOT-363
연속:	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	375 mOhm @ 630mA, 4.5V
전력 - 최대:	270mW
포장:	Original-Reel®
패키지 / 케이스:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
다른 이름들:	NTJD4105CT2GOSDKR
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	26 Weeks
제조업체 부품 번호:	NTJD4105CT2G
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	46pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	3nC @ 4.5V
FET 유형:	N and P-Channel
FET 특징:	Logic Level Gate
확장 설명:	Mosfet Array N and P-Channel 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
소스 전압에 드레인 (Vdss):	20V, 8V
기술:	MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	630mA, 775mA
Email:	[email protected]

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