PHD37N06LT,118
PHD37N06LT,118
제품 모델:
PHD37N06LT,118
제조사:
NXP Semiconductors / Freescale
기술:
MOSFET N-CH 55V 37A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
19116 Pieces
데이터 시트:
PHD37N06LT,118.pdf

소개

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보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):2V @ 1mA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:DPAK
연속:TrenchMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):32 mOhm @ 17A, 10V
전력 소비 (최대):100W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들:934055350118
PHD37N06LT /T3
PHD37N06LT /T3-ND
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:PHD37N06LT,118
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1400pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:22.5nC @ 5V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 55V 37A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
소스 전압에 드레인 (Vdss):55V
기술:MOSFET N-CH 55V 37A DPAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):37A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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