RQ6E085BNTCR
RQ6E085BNTCR
제품 모델:
RQ6E085BNTCR
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
13395 Pieces
데이터 시트:
RQ6E085BNTCR.pdf

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 1mA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:SOT-457
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
전력 소비 (최대):1.25W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SC-74, SOT-457
다른 이름들:RQ6E085BNTCRTR
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:10 Weeks
제조업체 부품 번호:RQ6E085BNTCR
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1350pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:32.7nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 30V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-457
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
기술:NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):8.5A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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