SI3477DV-T1-GE3
SI3477DV-T1-GE3
제품 모델:
SI3477DV-T1-GE3
제조사:
Vishay / Siliconix
기술:
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
18007 Pieces
데이터 시트:
SI3477DV-T1-GE3.pdf

소개

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보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):1V @ 250µA
Vgs (최대):±10V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:6-TSOP
연속:TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):17.5 mOhm @ 9A, 4.5V
전력 소비 (최대):2W (Ta), 4.2W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
다른 이름들:SI3477DV-T1-GE3TR
SI3477DVT1GE3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:24 Weeks
제조업체 부품 번호:SI3477DV-T1-GE3
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:2600pF @ 6V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:90nC @ 10V
FET 유형:P-Channel
FET 특징:-
확장 설명:P-Channel 12V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):1.8V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss):12V
기술:MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):8A (Tc)
Email:[email protected]

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