SI4808DY-T1-E3
제품 모델:
SI4808DY-T1-E3
제조사:
Vishay / Siliconix
기술:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
13501 Pieces
데이터 시트:
SI4808DY-T1-E3.pdf

소개

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보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):800mV @ 250µA (Min)
제조업체 장치 패키지:8-SO
연속:LITTLE FOOT®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):22 mOhm @ 7.5A, 10V
전력 - 최대:1.1W
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:SI4808DY-T1-E3
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:20nC @ 10V
FET 유형:2 N-Channel (Dual)
FET 특징:Logic Level Gate
확장 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
기술:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):5.7A
Email:sales@bychips.com

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