사다 BYCHPS가있는 SIE836DF-T1-E3
보장 구매
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4.5V @ 250µA |
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과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | 10-PolarPAK® (SH) |
연속: | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 130 mOhm @ 4.1A, 10V |
전력 소비 (최대): | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 10-PolarPAK® (SH) |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호: | SIE836DF-T1-E3 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1200pF @ 100V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
확장 설명: | N-Channel 200V 18.3A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (SH) |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 200V |
기술: | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 18.3A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |