SMMUN2111LT1G - ON Semiconductor - 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-단일, 프리 바이어스 SMMUN2111LT1G

SMMUN2111LT1G

제품 모델:: SMMUN2111LT1G

제조사:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

기술:: TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 15886 Pieces

데이터 시트:: SMMUN2111LT1G.pdf

문의

소개

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규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):	250mV @ 300µA, 10mA
트랜지스터 유형:	PNP - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지:	SOT-23-3 (TO-236)
연속:	-
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴):	10k
저항기 -베이스 (R1) (옴):	10k
전력 - 최대:	246mW
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들:	SMMUN2111LT1G-ND
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	12 Weeks
제조업체 부품 번호:	SMMUN2111LT1G
주파수 - 전환:	-
확장 설명:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
기술:	TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	35 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):	500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	100mA
Email:	[email protected]

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