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TK12A55D(STA4,Q,M)
TK12A55D(STA4,Q,M)
제품 모델:
TK12A55D(STA4,Q,M)
제조사:
Toshiba Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
17211 Pieces
데이터 시트:
1.TK12A55D(STA4,Q,M).pdf2.TK12A55D(STA4,Q,M).pdf
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소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 1mA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-220SIS
연속:π-MOSVII
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):570 mOhm @ 6A, 10V
전력 소비 (최대):45W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-220-3 Full Pack
다른 이름들:TK12A55D(STA4QM)
TK12A55DSTA4QM
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:24 Weeks
제조업체 부품 번호:TK12A55D(STA4,Q,M)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1550pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:28nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 550V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
소스 전압에 드레인 (Vdss):550V
기술:MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):12A (Ta)
Email:[email protected]

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